Cientistas chineses estão desenvolvendo um novo tipo de transistor que não precisa de silício para sua fabricação. O novo chip, composto de bismuto ultrafino, seria, de acordo com experimentos feitos, 40% mais rápido e reduz o consumo de energia em 10% se comparados com os chips feitos de silício de três nanômetros.
Os cientistas da Universidade de Pequim com seu novo transistor 2-D, baseado em bismuto, é mais avançado e eficiente que os da Intel, TSMC, Samsung e do Centro Interuniversitário de Microeletrônica da Bélgica.
“Se as inovações em chips baseadas em materiais existentes forem consideradas um ‘atalho’, então o nosso desenvolvimento de transístores baseados em materiais 2D é semelhante a ‘mudar de faixa’,” disse Peng Hailin, professor de físico-química, que lidera a equipe de pesquisa.
O novo chip é uma alternativa aos transistores baseados em silício que tem problemas em miniaturização e eficiência energética como vazamento de energia e perda do controle da corrente elétrica. O chip de bismuto não tem esse problema pela melhora no fluxo de elétrons e poder atuar sob menor tensão.
É mais um tiro no pé da hegemonia americana que temendo um avanço tecnológico chinês, impôs um embargo na exportação de tecnologias baseadas em semicondutores para empresas e organizações chinesas que desenvolvem tecnologias do setor.
“Embora este caminho nasça da necessidade devido às sanções atuais, ele também obriga os pesquisadores a encontrar soluções a partir de novas perspectivas,” disse Peng sobre as restrições impostas pelo governo americano.
A política do ex-presidente americano Joe Biden e agora levada adiante por Donald Trump de tentar conter os avanços tecnológicos chineses se mostrou desastrosa ao forçar a China a desenvolver tecnologias para fabricação de chips independente do comércio com países alinhados com os Estados Unidos.
